當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。