問答題

【案例分析題】
以下兩圖屬于同類型存儲(chǔ)器單元。試回答以下問題：

它們兩個(gè)都是哪一種類型存儲(chǔ)器單元？分別是什么類型的？

答案：

同屬于現(xiàn)場(chǎng)可編程ROM（PROM），（a）為熔絲型PROM存儲(chǔ)單元；（b）為PN結(jié)擊穿PROM存儲(chǔ)單元。

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【簡答題】給出一管單元DRAM的原理圖，并給出版圖。

答案：

【計(jì)算題】對(duì)1T DRAM，假設(shè)位線電容為1pF，位線預(yù)充電電壓為1.25V。在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為1和0時(shí)單元電容Cs（50fF）上的電壓分別等于1.9V和0V。這相當(dāng)于電荷傳遞速率為4.8%。求讀操作期間位線上的電壓擺幅。

答案：