阻抗Z 的實部R 稱為電阻，Z 的虛部X 稱為感抗。

雜質(zhì)會導(dǎo)致金屬晶格的畸變，造成電子散射，使電導(dǎo)率增加。

當(dāng)冷變形度超過10%時，電阻稍有增加，通常純金屬由冷變形引起的電阻的增加約為2～6%。

鐵磁性圓柱試件和非鐵磁性圓柱試件半徑的變化在復(fù)阻抗平面上的效應(yīng)方向是一致的。

電阻值愈小的材料，導(dǎo)電性能就愈好。

有效磁導(dǎo)率μeff是一個完全取決于頻率比f /fg的大小的參數(shù)。

純金屬具有規(guī)則的晶格，因此電阻率很小，若雜質(zhì)含量極少，則不會導(dǎo)致金屬晶格的畸變，造成電子散射，不影響電阻率。

福斯特提出有效磁導(dǎo)率，用變化的磁場Hz和恒定的磁導(dǎo)率μ替代了實際上恒定的磁場H0和變化的磁導(dǎo)率。

石墨非金屬材料，沒有導(dǎo)電能力，因此不能采用渦流技術(shù)進行檢測。

渦流檢測中放置式線圈受到提離效應(yīng)和邊緣效應(yīng)的影響，對穿過式線圈則沒有影響。