CVD 裝置通常可以由氣源控制部件、沉積反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導致的。

化學氣相沉積乃是通過化學反應的方式，利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源，在反應器內(nèi)使氣態(tài)的化學物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學反應形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

活性炭對物質(zhì)的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結(jié)構(gòu)變化，這種情況稱為馳豫。

反應氣體或生成物通過邊界層，是以擴散的方式來進行的，而使氣體分子進行擴散的驅(qū)動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。

簡述雜質(zhì)對擴散的影響。