高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質產生多型相變或發(fā)生不同物質間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。

CVD 裝置通常可以由氣源控制部件、沉積反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

靜高壓高溫直接轉變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉變或化合成新物質。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設備稱為真空獲得設備或真空泵。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內的晶格常數(shù)，而晶胞結構變化，這種情況稱為馳豫。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標是溫度的數(shù)值表示方法。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產生的密度差所導致的。

利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關，元件的溫度又與氣體的熱傳導有關，熱傳導量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計。