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單項(xiàng)選擇題 右圖之電路，若|I_DSS|=4mA，V_P=4V，則V_GS為（）

A.1V
B.2V
C.3V
D.4V

1.單項(xiàng)選擇題 如圖之電路，其參數(shù)值g_m=2mA/V，r_d=40k，若R_D=20k，則電壓增益A_v為（）

A.－57
B.－38
C.－26.6
D.－20.5

2.單項(xiàng)選擇題FET共泄極放大器的電壓增益（）

A.甚高
B.約等于μ
C.等于1
D.略小于1

3.單項(xiàng)選擇題TO－3包裝之功率晶體管，其外殼為（）

A.集極
B.射極
C.基底（substrate）
D.基極

4.單項(xiàng)選擇題典型金氧半晶體管（MOSFET）的閘極輸入端電阻值約為多少奧姆？（）

A.10⁸
B.10⁹
C.10¹⁰
D.10¹⁴

5.單項(xiàng)選擇題輸入電阻最高的放大器是（）

A.MOSFET源極隨耦器
B.射極耦合器
C.達(dá)靈頓射極耦合器
D.晶體管靴帶式放大器