如圖所示為空間某一電場(chǎng)的電場(chǎng)線,a、b兩點(diǎn)為其中一條豎直向下的電場(chǎng)線上的兩點(diǎn),該兩點(diǎn)的高度差為h,一個(gè)質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的小球從a點(diǎn)靜止釋放后沿電場(chǎng)線運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)時(shí)速度大小為(3gh)1/2,則下列說法中正確的是()
A.質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的小球從a點(diǎn)靜止釋放后沿電場(chǎng)線運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)的過程中動(dòng)能增加量等于電勢(shì)能減少量
B.a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)差U=mgh/2q
C.質(zhì)量為m、帶電荷量為+2q的小球從a點(diǎn)靜止釋放后沿電場(chǎng)線運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)時(shí)速度大小為(gh)1/2
D.質(zhì)量為m、帶電荷量為-q的小球從a點(diǎn)靜止釋放后沿電場(chǎng)線運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)時(shí)速度大小為(gh)1/2
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如圖所示,高為h的光滑絕緣曲面處于勻強(qiáng)電場(chǎng)中,勻強(qiáng)電場(chǎng)的方向平行于豎直平面,一帶電荷量為+q,質(zhì)量為m的小球,以初速度v0從曲面底端的A點(diǎn)開始沿曲面表面上滑,到達(dá)曲面頂端B點(diǎn)的速度仍為v0,則()
A.電場(chǎng)力對(duì)小球做功為mgh+1/2mv20
B.A、B兩點(diǎn)的電勢(shì)差為mgh/q
C.小球在B點(diǎn)的電勢(shì)能大于在A點(diǎn)的電勢(shì)能
D.電場(chǎng)強(qiáng)度的最小值為mg/q
某電場(chǎng)的電場(chǎng)線分布如圖所示,將一電荷量q=2×10-9C的試探電荷由電場(chǎng)中的a點(diǎn)移到b點(diǎn),電荷克服電場(chǎng)力做功為4×10-8J,下列說法正確的是()
A.a點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大于b點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)
B.試探電荷帶正電
C.a點(diǎn)電勢(shì)高于b點(diǎn)電勢(shì)
D.a,b兩點(diǎn)間的電勢(shì)差為20V
將一電荷量為+Q的小球放在不帶電的金屬球附近,所形成的電場(chǎng)線分布如圖所示,金屬球表面的電勢(shì)處處相等。a、b為電場(chǎng)中的兩點(diǎn),則()
A.a點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度比b點(diǎn)的大
B.a點(diǎn)的電勢(shì)比b點(diǎn)的高
C.檢驗(yàn)電荷-q在a點(diǎn)的電勢(shì)能比在b點(diǎn)的大
D.將檢驗(yàn)電荷-q從a點(diǎn)移到b點(diǎn)的過程中,電場(chǎng)力做負(fù)功
圖中的虛線a、b、c、d表示勻強(qiáng)電場(chǎng)中的4個(gè)等勢(shì)面.兩個(gè)帶電粒子M、N(重力忽略不計(jì))以平行于等勢(shì)面的初速度射入電場(chǎng),運(yùn)動(dòng)軌跡分別如圖中MPN和NQM所示.已知M是帶正電的粒子.則下列說法中正確的是()
A.N一定也帶正電
B.a點(diǎn)的電勢(shì)高于b點(diǎn)的電勢(shì),a點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大于b點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)
C. 帶電粒子N的動(dòng)能減小、電勢(shì)能增大
D.帶電粒子N的動(dòng)能增大、電勢(shì)能減小
A.φM<φN<0
B.φN>φM>0
C.φN<φM<0
D.φM>φN>0
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