A.高斯面上的電場(chǎng)強(qiáng)度處處為零,高斯面內(nèi)必?zé)o電荷;
B.高斯面內(nèi)有電荷,高斯面上的場(chǎng)強(qiáng)一定處處不為零;
C.高斯面上的電場(chǎng)只與面內(nèi)電荷有關(guān);
D.高斯面上的總通量只與面內(nèi)電荷有關(guān)。
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A.只產(chǎn)生電場(chǎng);
B.只產(chǎn)生磁場(chǎng);
C.即產(chǎn)生電場(chǎng),又產(chǎn)生磁場(chǎng);
D.只產(chǎn)生電場(chǎng),不產(chǎn)生磁場(chǎng)。
A.點(diǎn)O的電場(chǎng)強(qiáng)度和電勢(shì)均為零;
B.點(diǎn)O的電場(chǎng)強(qiáng)度和電勢(shì)均不為零;
C.點(diǎn)O的電場(chǎng)強(qiáng)度為零,電勢(shì)不為零;
D.點(diǎn)O的電場(chǎng)強(qiáng)度不為零,電勢(shì)為零。
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原子核發(fā)生共振吸收時(shí)的射頻場(chǎng)角頻率ω等于自旋核在磁場(chǎng)中()的角頻率,是磁共振條件。
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