單項選擇題刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
A.氧化
B.離子注入
C.光刻
D.拋光
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
A.能量
B.溫度
C.劑量
D.質(zhì)量
2.單項選擇題摻雜后退火時間一般在（）。
A.30~60分鐘
B.10~20分鐘
C.60~90分鐘
D.100~120分鐘
3.單項選擇題當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
A.最低摻雜劑量
B.臨界劑量
C.損傷劑量
D.摻雜劑量
4.多項選擇題下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au
5.多項選擇題鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
A.有效柵寬變窄
B.電流減少
C.電容增加
D.電阻增大
最新試題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
新的平坦化方法有哪幾個？（）
題型：多項選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項選擇題
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題