A.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復合器件,其開關速度比GTR慢
B.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復合器件,其開關速度比電力MOSFET快
C.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復合器件,其開關速度比GTR快
D.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復合器件,其驅動電流很大
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A.門極可關斷晶閘管GTO不是PNPN四層半導體結構
B.門極可關斷晶閘管GTO與晶閘管SCR的半導體結構不一樣
C.門極可關斷晶閘管GTO是PPPN四層半導體結構
D.門極可關斷晶閘管GTO是PNPN四層半導體結構
A.AC/DC和DC/AC兩大類
B.AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大類
C.AC/DC、DC/AC、DC/DC三大類
D.DC/AC、DC/DC、AC/AC三大類
A.間歇性能源包括風能和太陽能
B.熱電廠、水電廠、生物燃料廠和光伏系統(tǒng)所產(chǎn)生的能源代表典型的持續(xù)性能源
C.熱電廠、水電廠、生物燃料廠所產(chǎn)生的能源代表典型的間歇性能源
D.間歇性能源包括風能、太陽能和生物燃料廠所產(chǎn)生的能源
A.軟開關技術總的來說可以分為零電壓和非零電壓兩大類
B.軟開關技術總的來說可分為零電壓和零電流兩類
C.軟開關技術總的來說可以分為高電壓和大電流、或低電壓和小電流兩類
D.軟開關技術總的來說可以分為軟開關技術和硬開關技術兩類
A.應用軟開關技術可以降低開關損耗和開關噪聲,在損耗允許的情況下也可以使開關頻率大幅度提高
B.應用軟開關技術可以降低開關損耗,由于無法消除電壓、電流的重疊,不能提高開關頻率
C.應用軟開關技術可以降低開關損耗,但其開關損耗大于硬開關開關損耗的1/2
D.應用軟開關技術可以降低開關損耗,但其開關損耗大于硬開關開關損耗的1/3
最新試題
3個JK觸發(fā)器,通過電路設計,可以接成()進制以內(nèi)的,任意進制的計數(shù)器。
從000一直到100這五個狀態(tài)是循環(huán)的,而且每來一個脈沖它就加一,很顯然它是一個()加法計數(shù)器。
放大電路靜態(tài)工作點設置不妥當,會產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
二進制計數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進制計數(shù)器實現(xiàn)()分頻。
9個JK觸發(fā)器,通過電路設計,可以接成()進制以內(nèi)的,任意進制的計數(shù)器。
集成運放的反相輸入端,當輸入信號(ui1)由此輸入時,輸出信號(u0)與輸入ui1同相。
全加器的輸出信號是()
3位二進制加法計數(shù)器的,計數(shù)長度為()
下列受時鐘控制的是()
如果用預置數(shù)法實現(xiàn)3秒倒計時,74LS192預置數(shù)端輸入應該是()