活性炭對(duì)物質(zhì)的吸附是對(duì)極性基團(tuán)少的化合物的吸附力大于極性基團(tuán)多的化合物。

溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。

強(qiáng)制對(duì)流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導(dǎo)致的。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。

簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

反應(yīng)氣體或生成物通過邊界層，是以擴(kuò)散的方式來進(jìn)行的，而使氣體分子進(jìn)行擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進(jìn)行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強(qiáng)材料斷裂強(qiáng)度和抗震性能。

吸附平衡關(guān)系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。

紅外輻射溫度計(jì)測(cè)量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。