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問答題 已知電路參數(shù)如圖所示，F(xiàn)ET工作點上的互導(dǎo)gm=1mS，設(shè)rd≥Rd。
（1）畫出小信號等效電路；
（2）求電壓增益Àv；
（3）求放大電路的輸入電阻Ri。

（1）畫小信號等效電路
忽略rd，可畫出圖中的小信號等效電路，如下圖所示。

（2）求ÀV

（3）求Ri

1.問答題 四個FET的轉(zhuǎn)移特性分別如圖a、b、c、d所示，其中漏極電流iD的方向是它的實際方向。試問它們各是哪種類型的FET？

2.問答題 一個MOSFET的轉(zhuǎn)移特性如圖所示（其中漏極電流iD的方向是它的實際方向）。試問：
（1）該管是耗盡型還是增強型？
（2）是N溝道還是P溝道FET？
（3）從這個轉(zhuǎn)移特性上可求出該FET的夾斷電壓VP還是開啟電壓VT？其值等于多少？

由圖可見，它是P溝道增強型MOSFET，其VT=－4V。

3.判斷題處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。

4.判斷題引入直流負反饋可以穩(wěn)定靜態(tài)工作點。

5.判斷題若耗盡型N溝道MOS管的ugs大于零，則其輸入電阻會明顯變小。