簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

活性炭對物質的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。

化學氣相沉積乃是通過化學反應的方式，利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源，在反應器內使氣態(tài)的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態(tài)沉積物的技術。

溫度的高低不必用數字來說明，溫標是溫度的數值表示方法。

吸附質從流體主體通過分子與對流擴散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴散過程。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

化學合成反應沉積是由兩種或兩種以上的反應原料氣在沉積反應器中相互作用合成得到所需要的無機薄膜或其它材料形式的方法。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內的晶格常數，而晶胞結構變化，這種情況稱為馳豫。

簡述雜質對擴散的影響。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考⒊练e反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。