單項(xiàng)選擇題下列何種二極管的空乏區(qū)最窄？（）
A.發(fā)光二極管
B.透納二極管
C.變?nèi)荻O管
D.稽納二極管
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1.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），利用空乏區(qū)可做成（）
A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非
2.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），在何種情況下更明顯（）
A.斷路時(shí)
B.短路時(shí)
C.順向偏壓時(shí)
D.逆向偏壓時(shí)
3.單項(xiàng)選擇題一般硅質(zhì)二極管導(dǎo)通時(shí)，兩端的電位差為？（）
A.1.2V
B.0.9V
C.0.6V
D.0.2V
4.單項(xiàng)選擇題稽納二極管順向?qū)妷簽椋浚ǎ?/a>
A.0.6V
B.3V
C.6V
D.10V
5.單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體內(nèi)的電洞為（）
A.少數(shù)載子，由熱所產(chǎn)生
B.少數(shù)載子，由摻雜所產(chǎn)生
C.多數(shù)載子，由熱所產(chǎn)生
D.多數(shù)載子，由摻雜所產(chǎn)生
最新試題
下列關(guān)于與門電路（AND Gate）的描述中，哪一項(xiàng)是正確的？（）
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