CVD 工藝希望反應氣體以湍流的形式流動。

光學高溫計只要選取一定的波長，通常選λ=0.78μm。

紅外輻射溫度計測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

靜高壓高溫直接轉變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉變或化合成新物質。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質通過渦流流體的傳遞過程。

在電離真空計中，電子在飛行路途中產生的正離子數，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據離子電流的大小指示真空度。

CVD 技術中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內的晶格常數，而晶胞結構變化，這種情況稱為馳豫。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。