CVD 工藝希望反應氣體以湍流的形式流動。

簡述雜質對擴散的影響。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

化學合成反應沉積是由兩種或兩種以上的反應原料氣在沉積反應器中相互作用合成得到所需要的無機薄膜或其它材料形式的方法。

高壓高溫合成法目的是尋求經卸壓降溫后的高壓高溫合成產物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結構和性能的新材料。

活性炭對物質的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考?、沉積反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

光學高溫計只要選取一定的波長，通常選λ=0.78μm。