單項(xiàng)選擇題在巴申曲線擊穿電壓最低值右側(cè),因碰撞電離概率起主導(dǎo)作用,而碰撞次數(shù)起次要作用,隨著氣壓與極距乘積值加大,擊穿電壓()。
A.不變
B.降低
C.突變
D.提高
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1.單項(xiàng)選擇題湯森德理論闡述了()氣體的放電過(guò)程。
A.短間隙
B.大間隙
C.固體中
D.長(zhǎng)間隙
2.單項(xiàng)選擇題起始電子在電場(chǎng)作用下發(fā)生碰撞電離,使()迅速增加的現(xiàn)象稱(chēng)為電子崩。
A.復(fù)合離子
B.帶電質(zhì)子
C.游離分子
D.運(yùn)動(dòng)電子
3.單項(xiàng)選擇題一般所說(shuō)的電子崩,往往是指電子崩區(qū)域,電子崩頭的電荷密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于崩的中部和崩的尾部,且()集中在崩頭。
A.正電荷
B.分子流
C.負(fù)電荷
D.離子流
4.單項(xiàng)選擇題試驗(yàn)表明,擊穿通道是局限在狹窄的()形通道中,且有分支,說(shuō)明放電過(guò)程與局部條件有關(guān),有偶然因素。
A.管狀
B.曲折
C.圓柱
D.圓錐
5.單項(xiàng)選擇題當(dāng)外加()很高,達(dá)到間隙的擊穿場(chǎng)強(qiáng)時(shí),電子崩的發(fā)展形成流注,實(shí)現(xiàn)擊穿。
A.電壓
B.電場(chǎng)
C.磁場(chǎng)
D.能量
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