敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？

描述電子回旋共振（ECR）。

解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。

描述曝光波長和圖像分辨率之間的關(guān)系。

例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。

在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？