多項(xiàng)選擇題正常生產(chǎn)時(shí),氯乙烯裝置內(nèi)低沸產(chǎn)量與()有關(guān)。
A.氧氯化單元
B.直接氯化單元
C.二氯乙烷循環(huán)氯化
D.精二氯乙烷的質(zhì)量要求
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項(xiàng)選擇題關(guān)于氯乙烯裝置廢液的危害敘述正確的是()
A.影響產(chǎn)品純度
B.處理不當(dāng)污染環(huán)境
C.危害職工健康
D.不利于裝置的優(yōu)化操作
2.多項(xiàng)選擇題氯乙烯裝置中通過焚燒處理的廢液有()
A.低沸
B.重油
C.廢水
D.高沸
3.多項(xiàng)選擇題氯乙烯裝置中的廢水主要來自()
A.氧氯化單元反應(yīng)生成的水
B.各單元地坑收集的裝置廢水及表面水
C.二氯乙烷精餾單元脫除的水
D.換熱器用的循環(huán)水
4.多項(xiàng)選擇題正常生產(chǎn)時(shí)氯乙烯裝置廢氣的排放量與()有關(guān)。
A.設(shè)備磨損
B.工藝水平
C.操作水平
D.儀表
5.多項(xiàng)選擇題二氯乙烷脫苯催化劑失效后會(huì)造成()
A.二氯乙烷純度不合格
B.二氯乙烷裂解溫度升高
C.裂解爐爐管結(jié)焦加速
D.氯乙烯質(zhì)量不合格
最新試題
VCM塔回流罐液位低限聯(lián)鎖,則對VCM精餾單元的影響是()
題型:多項(xiàng)選擇題
VCM裝置中外排廢水COD超標(biāo),處理措施正確的是()
題型:多項(xiàng)選擇題
在VCM裝置中焚燒爐超溫,危害有()
題型:多項(xiàng)選擇題
在HCl塔倒空置換時(shí),下列說法正確的是()
題型:多項(xiàng)選擇題
EDC裂解爐爐管震動(dòng)的原因有()
題型:多項(xiàng)選擇題
氯乙烯裝置安全閥在打完壓后,安裝時(shí)應(yīng)注意()
題型:多項(xiàng)選擇題
氧氣在線分析儀出現(xiàn)故障時(shí),分析儀表著重檢查()
題型:多項(xiàng)選擇題
氧氯化單元產(chǎn)品EDC純度下降,應(yīng)檢查()
題型:多項(xiàng)選擇題
EDC裂解爐進(jìn)料低沸含量高,對裂解爐影響是()
題型:多項(xiàng)選擇題
泡罩塔塔盤在安裝時(shí),應(yīng)注意()
題型:多項(xiàng)選擇題