在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？

解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？

例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

刻蝕工藝有哪兩種類型？簡單描述各類刻蝕工藝。