多項(xiàng)選擇題在直接氯化反應(yīng)生成EDC過(guò)程中，不采用氣態(tài)反應(yīng)，主要是因?yàn)椋ǎ?/strong>
A.降低反應(yīng)溫度
B.提高反應(yīng)速度
C.降低反應(yīng)副產(chǎn)物
D.提高產(chǎn)品純度
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1.多項(xiàng)選擇題在VCM裝置中，中壓蒸汽和低壓蒸汽溫度設(shè)有高報(bào)警，主要目的是（）
A.防止蒸汽過(guò)熱
B.防止蒸汽過(guò)濕
C.防止再沸器結(jié)焦
D.防止?fàn)C傷操作人員
2.多項(xiàng)選擇題VCM裝置產(chǎn)生的廢氣含有的有機(jī)物有（）
A.乙烯
B.氮?dú)?br/>C.EDC
D.一氧化碳
3.多項(xiàng)選擇題在氯乙烯裝置中，蒸汽冷凝水回水主要分析（）
A.有機(jī)氯化物
B.PH
C.電導(dǎo)
D.Fe
4.多項(xiàng)選擇題影響EDC裂解爐結(jié)焦的主要因素有（）
A.裂解溫度
B.進(jìn)料純度
C.進(jìn)料含水
D.進(jìn)料Fe含量
5.多項(xiàng)選擇題貧氧工藝氧氯化反應(yīng)器提負(fù)荷后，應(yīng)特別注意（）
A.氧氯化反應(yīng)器的溫度變化
B.急冷塔底PH值變化
C.尾氣中C2H4/O2濃度的變化
D.產(chǎn)品純度的變化
最新試題
VCM裝置中，氧氯化反應(yīng)器HCl選擇性越高，則（）
題型：多項(xiàng)選擇題
氧氯化反應(yīng)器換熱蛇管泄漏，危害是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
VCM裝置中，直接氯化反應(yīng)器可通過(guò)以下（）方法提高EDC的選擇性。
題型：多項(xiàng)選擇題
VCM塔回流罐液位低限聯(lián)鎖，則對(duì)VCM精餾單元的影響是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
影響流化床流化態(tài)的重要因素有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
EDC裂解汽化器在裂解爐清完焦后壓力難以控制，主要原因是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
浮閥塔塔盤(pán)在安裝時(shí)，應(yīng)注意（）
題型：多項(xiàng)選擇題
氯乙烯裝置安全閥在打完壓后，存放時(shí)應(yīng)注意（）
題型：多項(xiàng)選擇題
氧氯化單元產(chǎn)品EDC純度下降，應(yīng)檢查（）
題型：多項(xiàng)選擇題
氧氯化法生產(chǎn)VCM單體時(shí)，含乙炔超標(biāo)，主要原因是（）
題型：多項(xiàng)選擇題