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A.500G
B.160G
C.280G
D.1T

A.采用單晶體材料
B.復合壓電晶體，更好的聲頻譜和更低的聲阻抗
C.結合3T技術，提升聲能量轉換、降低陣元間干擾、溫度控制性能
D.有更高的細節(jié)、對比分辨率及更好的全場均勻性