光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。