A.石英晶體發(fā)射,鈦酸鋇晶體接收
B.鈦酸鋇晶體發(fā)射,硫酸鋰晶體接收
C.硫酸鋰晶體發(fā)射,鈦酸鋇晶體接收
D.鈦酸鋇晶體發(fā)射,石英晶體接收
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A.0.8mm
B.1.25mm
C.1.6mm
D.0.4mm
A.0.17mm
B.1.4mm
C.16.3mm
D.28.5mm
A.≥2K2+δ1+50
B.≥2δ2tgβ+2K2+δ1+50
C.≥K1+2tgβδ1+50
D.≥2K1+δ2+50
A.2.5MHz
B.4MHz
C.1MHz
D.以上都是
A.直探頭,接管內(nèi)壁,垂直法
B.斜探頭,接管內(nèi)蓖,直射法
C.斜探頭容器外表面,一次或二次波法
D.以上一種或兩種組合方式
最新試題
對(duì)某非磁性材料進(jìn)行渦流檢測(cè)時(shí),已知μr=1,f=2kHz,ρ=2O×1O-6Ω·m,試計(jì)算滲透深度值為多少?
有一個(gè)變量對(duì)渦流和磁場(chǎng)狀態(tài)的變化發(fā)生影響,線圈的輸出信號(hào)實(shí)際上是由這個(gè)變量產(chǎn)生的。這個(gè)變量是()。
新置的Ir192γ射線源,其活度為40Ci,現(xiàn)今時(shí)隔300天,已知,Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度?該源新置時(shí),對(duì)某工件進(jìn)行射線照相的曝光時(shí)間為4min,若所有條件不變,現(xiàn)今應(yīng)曝光多少分鐘?
JB4730-94標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定不允許存在的缺陷有哪些?
用××2005型×光機(jī)180KV管電壓透照Φ51*3.5的管子環(huán)焊縫,已知焊縫寬度b=10mm,焦點(diǎn)尺寸3*3,試求①滿足Ug=3Ui,橢圓開口間距g=5mm時(shí)的透照距離L1和透照偏移距離S(設(shè)Ui=0.0013V0.8,膠片離管子底面距離3mm)②若透照距離L1=800mm,則此時(shí)Ug為Ui的幾倍?
試驗(yàn)線圈激勵(lì)電流應(yīng)保持恒定,這樣用渦流系統(tǒng)得到的試件信息()。
頻率比在什么條件下,表面下裂紋的信號(hào)振幅增大()。
下圖所示的標(biāo)準(zhǔn)試件可用來(lái)測(cè)定()。
當(dāng)激勵(lì)電壓加于一次繞組時(shí),只有磁通量是同相的,且二次磁通量較小。當(dāng)試驗(yàn)物體插入該線圈時(shí),將發(fā)生什么情況()。
以通有交流電的圓筒型線圈中放有長(zhǎng)導(dǎo)電圓柱體試件為例,簡(jiǎn)述福斯特模型的基本內(nèi)容。說(shuō)明什么叫做有效磁導(dǎo)率?并寫出其數(shù)學(xué)表達(dá)式。