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填空題如圖所示電路中，電源E＝6V，內(nèi)阻r＝3Ω，R₁＝6Ω，R₂＝R₃＝R₄＝3Ω，則U_ab＝（）V。

1.填空題設(shè)（SP）＝62H，（62H）＝10H，（61H）＝20H，（10H）＝30H，（20H）＝7BH，執(zhí)行下列程序：

上述程序執(zhí)行后：
（SP）＝（）；
（10H）＝（）；
（20H）＝（）；
C＝（）；
（DPTR）＝（）。

2.填空題已知A=34H，則執(zhí)行單片機(jī)指令“ANL A，#56H”后，A中的內(nèi)容是（）。

3.填空題用一條指令將寄存器A中的第0，1，4，7位求反，其余位保持不變。該指令為（）。

4.填空題下列程序段完成了外部RAM從（）單元至（）單元的清零工作。

5.填空題執(zhí)行下列程序段后，（A）＝（）。