柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS管可以分為4類(lèi)型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

MOS的輸出特性曲線(xiàn)中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線(xiàn)可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線(xiàn)。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。