填空題

JFET是利用PN結(jié)反向電壓對(duì)耗盡層厚度的控制，來(lái)改變（）的寬窄，從而控制漏極電流的大??；而MOSFET則是利用柵源電壓的大小，來(lái)改變半導(dǎo)體表面（）的多少，從而控制漏極電流的大小。

答案： 導(dǎo)電溝道；感生電荷
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