填空題JFET是利用PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制，來改變（）的寬窄，從而控制漏極電流的大??；而MOSFET則是利用柵源電壓的大小，來改變半導(dǎo)體表面（）的多少，從而控制漏極電流的大小。
您可能感興趣的試卷
最新試題
3個輸入端的加法器，只用了兩個端，不用的一端應(yīng)（）。
題型：單項選擇題
當(dāng)（）變化時，積分器電路的反饋量會發(fā)生變化。
題型：單項選擇題
單穩(wěn)態(tài)電路輸入一個脈沖后會輸出（）個脈沖。
題型：單項選擇題
哪一種信號可產(chǎn)生電磁波？（）
題型：單項選擇題
與混頻前的高頻相比中頻信號的（）未發(fā)生變化。
題型：單項選擇題
接收機(jī)中的揚聲器（耳機(jī)）是（）的負(fù)載。
題型：單項選擇題
單邊帶發(fā)射機(jī)的優(yōu)點是（）
題型：單項選擇題
無線電波中的電場與磁場的夾角應(yīng)為（）。
題型：單項選擇題
對于半導(dǎo)體材料，隨溫度升高：（）
題型：單項選擇題
功放電路工作在乙類放大，在輸入信號的整個周期內(nèi)：（）
題型：單項選擇題