一塊1cm*4cm*0.5cm的陶瓷介質(zhì)，其電容為2.4^-6μF，損耗因子tgδ為0.02。求：
①相對介電常數(shù)；
②損耗因素。

本征半導體中，從價帶激發(fā)至導帶的電子和價帶產(chǎn)生的空穴參與電導。激發(fā)的電子數(shù)n可近似表示為：，式中N為狀態(tài)密度，k為波爾茲曼常數(shù)，T為絕對溫度。試回答以下問題：
（1）設N=10²³cm^-3，k=8.6”*10^-5eV.K^-1時，Si（Eg=1.1eV），TiO₂（Eg=3.0eV）在室溫（20℃）和500℃時所激發(fā)的電子數(shù)（cm^-3）各是多少：
（2）半導體的電導率σ（Ω^-1.cm^-1）可表示為σ=neμ，式中n為載流子濃度（cm^-3），e為載流子電荷（電荷1.6*10^-19C），μ為遷移率（cm2.V^-1.s^-1）當電子（e）和空穴（h）同時為載流子時，。假定Si的遷移率μe=1450（cm².V^-1.s^-1），μh=500（cm2.V^-1.s^-1），且不隨溫度變化。求Si在室溫（20℃）和500℃時的電導率

實驗測出離子型電導體的電導率與溫度的相關數(shù)據(jù)，經(jīng)數(shù)學回歸分析得出關系式為：
（1）試求在測量溫度范圍內(nèi)的電導活化能表達式。
（2）若給定
T1=500K，σ1=10^-9（Ωcm）^-1
T2=1000K，σ2=10^-6（Ωcm）^-1
計算電導活化能的值。