你可能感興趣的試題

多項(xiàng)選擇題

按照電磁輻射的本質(zhì)來分，光譜分析法可分為原子光譜分析法和分子光譜分析法，屬于原子光譜分析法的有（）

A.化學(xué)發(fā)光
B.原子熒光
C.核磁共振
D.X射線熒光

多項(xiàng)選擇題

通過X射線結(jié)果評(píng)判耐張線夾壓接是否存在防滑槽壓接不到位、導(dǎo)線穿管長(zhǎng)度不足、壓接管彎曲變形過大、裂紋、偏芯等異常狀態(tài)，壓接質(zhì)量應(yīng)符合的標(biāo)準(zhǔn)是（）

A.DL/T5285-2013《輸變電工程架空導(dǎo)線及地線液壓壓接工藝規(guī)程》
B.GB50233-2014《110～750kV架空送電線路施工及驗(yàn)收規(guī)范》
C.DL/T1312-2013《電力工程接地用銅覆鋼技術(shù)條件》
D.DL/T760.3-2012《均壓環(huán)屏蔽環(huán)均壓屏蔽環(huán)》
E.Q/GDW571-2014《大截面導(dǎo)線壓接工藝導(dǎo)則》

硅漂移探測(cè)器的陽極很小，因而電容很小，同時(shí)它的漏電流也很小，所以與Si-PIN檢測(cè)器相比，優(yōu)點(diǎn)有（）

你可能感興趣的試題

按照電磁輻射的本質(zhì)來分，光譜分析法可分為原子光譜分析法和分子光譜分析法，屬于原子光譜分析法的有（）

通過X射線結(jié)果評(píng)判耐張線夾壓接是否存在防滑槽壓接不到位、導(dǎo)線穿管長(zhǎng)度不足、壓接管彎曲變形過大、裂紋、偏芯等異常狀態(tài)，壓接質(zhì)量應(yīng)符合的標(biāo)準(zhǔn)是（）

硅漂移探測(cè)器的陽極很小，因而電容很小，同時(shí)它的漏電流也很小，所以與Si-PIN檢測(cè)器相比，優(yōu)點(diǎn)有（）

按照電磁輻射的本質(zhì)來分，光譜分析法可分為原子光譜分析法和分子光譜分析法，屬于原子光譜分析法的有（）

通過X射線結(jié)果評(píng)判耐張線夾壓接是否存在防滑槽壓接不到位、導(dǎo)線穿管長(zhǎng)度不足、壓接管彎曲變形過大、裂紋、偏芯等異常狀態(tài)，壓接質(zhì)量應(yīng)符合的標(biāo)準(zhǔn)是（）