金屬化中可選用的金屬材料有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。