單項選擇題下列哪個雜質(zhì)允許在硅中存在的？（）
A.Cu
B.C
C.Na
D.O
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1.多項選擇題微電子產(chǎn)業(yè)的特點有（）。
A.對材料及產(chǎn)品可靠性要求高
B.制造環(huán)境要求高
C.商品壽命短
D.技術(shù)含量高，人才需要大
2.多項選擇題發(fā)明集成電路的公司有（）。
A.英偉達
B.仙童半導(dǎo)體
C.英特爾
D.德州儀器
3.單項選擇題麒麟980芯片采用的工藝水平是（）。
A.10nm
B.5nm
C.7nm
D.9nm
4.單項選擇題?形成B的超淺結(jié)摻雜（劑量為QB）時，為了避免溝道效應(yīng)可否先注入銻（劑量為QSb）再注入硼？實際注入了多少硼？（）
A.可以，實際注硼：QB
B.不可以
C.可以，實際注硼：QB+QSb
D.可以，實際注硼：QB-QSb
5.單項選擇題在離子注入摻雜時，有少部分雜質(zhì)進入襯底后穿過較大距離，這種現(xiàn)象就是（）。當(dāng)偏離晶向（）ψc注入時，可以避免。
A.橫向效應(yīng)，>
B.橫向效應(yīng)，<
C.溝道效應(yīng)，<
D.溝道效應(yīng)，>
最新試題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題
化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
題型：單項選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項選擇題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項選擇題