多項選擇題影響CVD質量的因素有（）
A.沉積溫度
B.反應氣體的比例
C.基體材料
D.壓強
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1.多項選擇題蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）
A.淀積材料蒸發(fā)或升華為氣態(tài)
B.原子從蒸發(fā)源輸運到基片
C.蒸氣粒子在基片上沉積
D.粒子在基片表面重排凝結成膜
2.多項選擇題提拉法生長單晶體的優(yōu)點有（）
A.可以直接觀察晶體的生長狀況，為控制晶體外形提供了有利條件
B.晶體在熔體的自由表面處生長，能夠顯著減小晶體的應力
C.可以得到不同取向的單晶體，降低位錯密度
D.能夠以較快的速度生長較高質量的晶體
3.多項選擇題適合熔體生長可以獲得高質量單晶體的理想材料應具有（）
A.沒有破壞性相變
B.較低的蒸氣壓
C.同成分熔化
D.純元素
4.多項選擇題關于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）
A.光滑界面是以不連續(xù)的方式生長。
B.光滑界面的生長又稱為側向生長。
C.粗糙界面的生長能連續(xù)地生長
D.粗糙界面的生長又稱為層狀生長
5.單項選擇題完全光滑界面的生長是通過（）而進行的。
A.臺階的產生
B.扭折的產生
C.臺階的運動
D.扭折的運動