A.HPGe和Ge（Li）用于組成γ譜儀，Ge較高的密度和原子序數(shù)有利于γ射線探測(cè)
B.Si（Li）探測(cè)器可以作低能量的γ射線和X射線測(cè)量
C.Si（Li）探測(cè)器可以作β粒子或其他外部入射的電子的探測(cè)，因?yàn)樗有驍?shù)低，反散射小
D.Si（Li）探測(cè)器也適合測(cè)量高能γ射線
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A.電流脈沖寬度約為μs量級(jí)
B.反符合技術(shù)有助于提高探測(cè)器峰康比
C.85立方厘米的高純鍺探測(cè)器的相對(duì)探測(cè)效率約為19%
D.能量線性很好
A.不同原因造成的能量展寬需要平方求和在開方，求總體效應(yīng)
B.載流子統(tǒng)計(jì)漲落、漏電流和噪聲均會(huì)造成探測(cè)器能量分辨率變差
C.不同原因造成的能量展寬可以直接相加求總體效應(yīng)
D.載流子由于陷阱效應(yīng)帶來的漲落可以通過適當(dāng)提高偏置電壓減小
A.平面型探測(cè)器，吸收位置不同但是輸出信號(hào)基本相同
B.信號(hào)脈沖上升時(shí)間與入射帶電粒子產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的位置有關(guān)
C.同軸型探測(cè)器，吸收位置不同但是輸出信號(hào)基本相同
D.輸出電壓脈沖信號(hào)是前沿不變的
A.平面型體積較大
B.同軸型體積較小
C.兩者都不需要考慮空間電荷問題
D.對(duì)不同的結(jié)構(gòu)形式，靈敏體積內(nèi)的電場(chǎng)分布不同
A.它需要在低溫下工作
B.它需要在低溫下保存
C.工作時(shí)一般不能達(dá)到全耗盡狀態(tài)
D.不屬于PN結(jié)型探測(cè)器
最新試題
同位素中子源不包括哪一種？（）
測(cè)量β射線的活度，下列說法錯(cuò)誤的是（）。
下列哪種中子的波長(zhǎng)最短？（）
測(cè)量能量10keV的γ射線，觀察到了在20keV處有一個(gè)明顯的峰，對(duì)于這些計(jì)數(shù)的分析正確的是（）。
關(guān)于241Am-9Be中子源的描述不正確的是（）。
關(guān)于24Na-9Be中子源的描述不正確的是（）。
關(guān)于符合的描述，下列說法正確的是（）。
下列對(duì)中子與原子核的反應(yīng)截面的描述不正確的是（）。
關(guān)于自發(fā)裂變中子源的描述正確的是（）。
常見的241Am-9Be中子源中，9Be的作用是（）。