A.增大原料的溶解度
B.增大原料的溶解度溫度系數(shù)
C.影響晶體的結(jié)晶習(xí)性
D.影響晶體的生長(zhǎng)速度
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A.高溫高壓下有很高的強(qiáng)度
B.耐壓
C.耐腐蝕
D.密封結(jié)構(gòu)良好
A.易溶物質(zhì)
B.難溶物質(zhì)
C.分解溫度較低物質(zhì)
D.在熔點(diǎn)下有相變物質(zhì)
A.晶體可在遠(yuǎn)低于其熔點(diǎn)的溫度下生長(zhǎng)
B.容易長(zhǎng)成大塊均勻性良好的晶體
C.生長(zhǎng)速度快,易操作
D.可直接觀察晶體生長(zhǎng)過程
A.氣體溶液
B.液體溶液
C.固體溶液
D.氣溶膠
A.擴(kuò)散
B.增加傳輸能力
C.降溫
D.對(duì)流
最新試題
按照坯料的性能可將成形方法分為哪幾類?()
氣相生長(zhǎng)的基本原理:氣相原子或分子運(yùn)動(dòng)到晶體表面,在一定的條件下被晶體吸收,形成穩(wěn)定的()。俘獲吸附原子,臺(tái)階運(yùn)動(dòng)蔓延整個(gè)表面,便生長(zhǎng)一層晶體薄膜。
化學(xué)溶液鍍膜法主要包括()
臨界驅(qū)動(dòng)力指維持確定半徑的晶核所需要的()驅(qū)動(dòng)力。
晶體生長(zhǎng)大致可以分為晶核的()兩個(gè)階段。
不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同,其能量表面能最低晶面也不相同,K,Na金屬為體心立方結(jié)構(gòu),其最小奇異面是()
利用電鍍得到的膜層疏松多孔,而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力?()
適合熔體生長(zhǎng)可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有()
完全光滑界面的生長(zhǎng)是通過()而進(jìn)行的。
關(guān)于溶膠凝膠法,下面哪些說(shuō)法是正確的?()