強(qiáng)制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導(dǎo)致的。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動。

MoSi2宜在低于1000℃下長時(shí)間使用。

簡述真空蒸鍍的原理。

溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。

簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

紅外輻射溫度計(jì)測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

反應(yīng)氣體或生成物通過邊界層，是以擴(kuò)散的方式來進(jìn)行的，而使氣體分子進(jìn)行擴(kuò)散的驅(qū)動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

低壓下從石墨轉(zhuǎn)變成金剛石是一個(gè)典型的反自發(fā)方向進(jìn)行的反應(yīng)，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應(yīng)的推動來實(shí)現(xiàn)。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。