光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。