單項(xiàng)選擇題水熱法生長(zhǎng)是()
A.常溫高壓生長(zhǎng)
B.高溫高壓生長(zhǎng)
C.常溫常壓生長(zhǎng)
D.高溫常壓生長(zhǎng)
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1.單項(xiàng)選擇題層生長(zhǎng)理論的缺陷是()
A.不能解釋晶體在低過(guò)飽和度條件下形成二維核
B.不能解釋舊層生長(zhǎng)
C.不能解釋二維核的形成
D.不能解釋新層生長(zhǎng)
3.多項(xiàng)選擇題晶體生長(zhǎng)模型主要有()
A.層生長(zhǎng)
B.液-固轉(zhuǎn)變生長(zhǎng)
C.氣-固轉(zhuǎn)變生長(zhǎng)
D.螺旋生長(zhǎng)
4.多項(xiàng)選擇題晶面上包含周期性鍵鏈PBC多的晶面()
A.面網(wǎng)密度小
B.生長(zhǎng)速度慢
C.面網(wǎng)密度大
D.生長(zhǎng)速度快
5.單項(xiàng)選擇題證明螺旋生長(zhǎng)理論模型的現(xiàn)象有()
A.晶面上有螺紋
B.晶面上有蝕坑
C.晶面上有生長(zhǎng)丘
D.晶體內(nèi)有缺陷
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按照單體間的接合方式,可將雙晶分為()。
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