填空題

離子注入機的對Si襯底作P型摻雜的源氣常用（），N型摻雜的源氣常用（）和（）。對GaAs做N型摻雜的源氣常用（）

答案： BF₃；PH₅；AsH₅；SiH₄

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（）稱為溝道效應(yīng)，可以用（）、（）和（）來避免。其中，（）是最常用的方法。

答案：沿晶體溝道注入離子的射程遠大于隨機方向注入離子射程的現(xiàn)象；硅片相對注入束偏轉(zhuǎn)5-7°的注入角；表面生長氧化層；硅注入表面...

注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數(shù)是（）及其（）。注入離子分布的一級近似為（）。可寫成：

答案：離子能量、離子種類和襯底材料；平均投影射程；標準偏差；高斯分布