A.-0.05
B.-0.1
C.-0.2
D.-0.25
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關(guān)于臥式光纜接頭盒組裝步驟,下列操作順序正確的是()
①其余不用的光纜孔,用堵頭密封。
②在光纜松套管上綁扎扎帶,剪斷余長(zhǎng)。
③按光纜外徑選取密封環(huán),并將密封環(huán)套在光纜上。
④將加強(qiáng)構(gòu)件纏繞在熔接盤支座的沉頭螺釘上,并壓緊。
⑤將光纜放入對(duì)應(yīng)的接頭盒入孔內(nèi)。
⑥清理“U”型槽并放入密封膠條,將接頭盒上蓋合上,旋入緊固螺栓,對(duì)角擰緊。待5分鐘后,再用力矩扳手順序擰緊。
⑦連接屏蔽及接地。
⑧將光纜密封端按入光纜入孔內(nèi)。
⑨在兩個(gè)密封環(huán)之間纏繞上自粘密封膠帶,使密封帶繞到與密封環(huán)外徑平齊,以形成一個(gè)光纜密封端。
⑩用喉箍穿過(guò)光纜加強(qiáng)件固定座和纜芯支架,將光纜固定在接頭盒底座上,擰緊喉箍螺釘,直至喉箍抽緊為止。
A.⑤③⑦⑨⑧⑩②①④⑥
B.③⑤⑦⑨⑧⑩②①④⑥
C.⑤③⑦⑨⑧⑩①②④⑥
D.③⑤⑦⑨⑧⑩①②④⑥
A.850nm
B.1310nm
C.1490nm
D.1550nm
A.20%-45%
B.40%-65%
C.50%-75%
D.60%-85%
A.單盤檢驗(yàn)、路由復(fù)測(cè)、清刷管孔、光纜配盤、敷設(shè)子管、敷設(shè)光纜、光纜接續(xù)、中繼段測(cè)試、整理竣工資料和工程驗(yàn)收
B.路由復(fù)測(cè)、單盤檢驗(yàn)、清刷管孔、光纜配盤、敷設(shè)子管、敷設(shè)光纜、光纜接續(xù)、中繼段測(cè)試、整理竣工資料和工程驗(yàn)收
C.單盤檢驗(yàn)、路由復(fù)測(cè)、光纜配盤、清刷管孔、敷設(shè)子管、敷設(shè)光纜、光纜接續(xù)、中繼段測(cè)試、整理竣工資料和工程驗(yàn)收
D.路由復(fù)測(cè)、單盤檢驗(yàn)、光纜配盤、敷設(shè)子管、清刷管孔、敷設(shè)光纜、光纜接續(xù)、中繼段測(cè)試、整理竣工資料和工程驗(yàn)收
A.開纜和剝纖、準(zhǔn)備、套管和清潔、放電校正和參數(shù)設(shè)置、切纖、熔纖和判斷、接頭補(bǔ)強(qiáng)、盤纖、和清理臺(tái)面
B.開纜和剝纖、準(zhǔn)備、套管和清潔、放電校正和參數(shù)設(shè)置、切纖、盤纖、熔纖和判斷、接頭補(bǔ)強(qiáng)和清理臺(tái)面
C.準(zhǔn)備、開纜和剝纖、套管和清潔、切纖、放電校正和參數(shù)設(shè)置、熔纖和判斷、接頭補(bǔ)強(qiáng)、盤纖和清理臺(tái)面
最新試題
以下哪種陶瓷的品質(zhì)因數(shù)在微波頻段較高()?
微波介質(zhì)陶瓷的介電常數(shù)在微波頻段的變化趨勢(shì)一般是()。
微波介質(zhì)陶瓷的介電損耗與溫度的關(guān)系通常是()。
以下哪種陶瓷的熱膨脹系數(shù)較低()?
微波介質(zhì)陶瓷的熱膨脹系數(shù)主要影響()。
微波介質(zhì)陶瓷的品質(zhì)因數(shù)與頻率的關(guān)系通常是()。
為改善微波介質(zhì)陶瓷的性能,常采用的方法是()。
以下哪種因素會(huì)提高微波介質(zhì)陶瓷的熱膨脹系數(shù)()?
為降低微波介質(zhì)陶瓷的熱膨脹系數(shù),可以()。
以下哪種因素會(huì)降低微波介質(zhì)陶瓷的品質(zhì)因數(shù)()?