單項(xiàng)選擇題透納二極管（Tunnel Diode）在順向時為一（）
A.良導(dǎo)體
B.絕緣體
C.具負(fù)電阻特性
D.半導(dǎo)體
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題
如圖所示，若Zener二極管崩潰電壓為10V，且12V≤Vi≤15V，500Ω≤RL≤1000Ω，則Zener二極管所消耗之最大功率為？（）
A.0.5W
B.0.4W
C.0.3W
D.0.2W
2.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體的電流如何產(chǎn)生？（）
A.僅由電子
B.僅由電洞
C.正、負(fù)離子
D.電子和電洞均有
3.單項(xiàng)選擇題理想的砷化鎵二極管其切入電壓為？（）
A.0V
B.0.2V
C.0.6V
D.1.1V
4.單項(xiàng)選擇題稽納電壓在5V時，是屬于何種崩潰效應(yīng)（）
A.稽納崩潰
B.累增崩潰
C.以上皆可能
D.以上皆非
5.單項(xiàng)選擇題一個理想的鍺質(zhì)PN二極管，在溫度為75℃時，其動態(tài)電阻rd=3Ω，若在順向電流不變下，溫度提高至133℃時，其rd為何？（）
A.3Ω
B.3.5Ω
C.4Ω
D.4.5Ω
最新試題
SR觸發(fā)器是由什么組成的？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
74LS163是什么類型的計數(shù)器？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
74LS163在哪些場合有應(yīng)用？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
74LS163的清除功能是如何實(shí)現(xiàn)的？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列關(guān)于與門電路（AND Gate）的描述中，哪一項(xiàng)是正確的？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
甲類低頻功率放大器的特點(diǎn)是什么？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
555時基電路在雙穩(wěn)態(tài)模式下，其輸出電平如何變化？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
或門電路（OR Gate）的邏輯功能可以描述為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
理想集成運(yùn)算放大器（Op-Amp）的哪些特點(diǎn)使得它在實(shí)際電路設(shè)計中非常有用？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
555時基電路在哪種模式下可以作為方波發(fā)生器？（）
題型：單項(xiàng)選擇題