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填空題為了降低臺階高度對金屬互連線的影響，在沉積金屬層前必須對圓片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉積的回流介質(zhì)主要有：（）

1.填空題要實(shí)現(xiàn)金屬互連線與Si的良好歐姆接觸，還必須做（）處理。為了避免鋁釘扎和電遷移現(xiàn)象，常用（）、（）合金和（）替代純鋁。鋁合金化工藝的條件是：（）

2.填空題肖特基接觸呈現(xiàn)（），肖特基結(jié)的高低由（）差決定；歐姆接觸呈現(xiàn)（）特性，接觸電阻可以低到10^-7歐姆·厘米。IC的互連線金屬要求與半導(dǎo)體襯底實(shí)現(xiàn)（），所以，源、漏、多晶硅等的摻雜濃度必須高于（）。

3.填空題金屬-半導(dǎo)體接觸分：（）三種。當(dāng)半導(dǎo)體襯底濃度低于（）時(shí)，只能產(chǎn)生（），當(dāng)半導(dǎo)體襯底濃度高于（）時(shí) 可實(shí)現(xiàn)（）。

4.填空題半導(dǎo)體器件隔離的種類有：（）；（）和（）三種。P-N結(jié)隔離適合（）的器件。目前大多數(shù)CMOS器件采用（）隔離，絕緣介質(zhì)場區(qū)氧化層采用（）工藝生長。

5.填空題 免可控硅效應(yīng)的方法從（）寄生管的總增益，以及消除寄生晶體管出發(fā)，主要有：
1. （）；
2. （）；
3. 使用可以吸收注入電荷的（）；
4. （）；
5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的產(chǎn)生。