CVD 技術(shù)中通過沉積反應(yīng)易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

紅外輻射溫度計(jì)測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動(dòng)。

吸附平衡關(guān)系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

吸附質(zhì)從流體主體通過分子與對(duì)流擴(kuò)散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴(kuò)散過程。

利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關(guān)，元件的溫度又與氣體的熱傳導(dǎo)有關(guān)，熱傳導(dǎo)量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計(jì)。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。

溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。

反應(yīng)氣體或生成物通過邊界層，是以擴(kuò)散的方式來進(jìn)行的，而使氣體分子進(jìn)行擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。