單項(xiàng)選擇題晶核長大的機(jī)制不包括()。
A.借螺位錯長大
B.樹枝狀長大
C.垂直長大
D.二維形核長大
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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于非均勻形核,以下說法錯誤的是()。
A.非均勻形核所需的臨界形核功比均勻形核小得多
B.無形核功,晶體可在已有固相表面長大
C.實(shí)際金屬結(jié)晶過程中,通常發(fā)生的是非均勻形核
D.非均勻形核的臨界晶核的體積V比均勻形核的體積大得多
2.單項(xiàng)選擇題在均勻形核過程中,當(dāng)過冷度過小時(shí),形核率N主要受()控制,隨著過冷度增加,臨界晶核半徑減??;當(dāng)過冷度繼續(xù)增大,盡管臨界晶核半徑也在減小,但由于原子在較低溫度下擴(kuò)散變得困難,此時(shí)形核率N主要受()控制。
A.形核功;原子擴(kuò)散幾率因子
B.形核功因子;原子擴(kuò)散幾率因子
C.形核功;原子越過液固相界面的擴(kuò)散激活能
D.形核功因子;原子越過液固相界面的擴(kuò)散激活能
3.單項(xiàng)選擇題均勻形核發(fā)生所需要的過冷度大概為其熔點(diǎn)的()倍。
A.0.2
B.0.3
C.0.4
D.0.1
4.單項(xiàng)選擇題在均勻形核過程中,形成臨界晶核時(shí)體系的自由能();過冷度越(),形核越容易。
A.增加;小
B.增加;大
C.減少;小
D.減少;大
5.單項(xiàng)選擇題結(jié)晶過程中形核數(shù)量多,長大速度慢會導(dǎo)致()。
A.獲得單晶
B.各向異性
C.晶粒粗大
D.晶粒細(xì)小
最新試題
以下哪點(diǎn)不屬于獲得高冷速的基本技術(shù)原則?()
題型:單項(xiàng)選擇題
關(guān)于非均勻形核,以下說法錯誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
在均勻形核過程中,當(dāng)過冷度過小時(shí),形核率N主要受()控制,隨著過冷度增加,臨界晶核半徑減??;當(dāng)過冷度繼續(xù)增大,盡管臨界晶核半徑也在減小,但由于原子在較低溫度下擴(kuò)散變得困難,此時(shí)形核率N主要受()控制。
題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題