半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.06.25)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述幾種常用的氧化方法及其特點(diǎn)。
參考答案：制備SiO2的方法有很多，熱分解淀積、濺射、真空蒸發(fā)、陽(yáng)極氧化法、化學(xué)氣相淀積、熱氧化法等。熱生長(zhǎng)法制備的SiO2質(zhì)量好...
參考答案：濺射產(chǎn)額：影響因素：離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結(jié)晶性只有當(dāng)入射離子的能量超過(guò)一定能量（濺射閾值）時(shí)，才能發(fā)生濺...
3.問(wèn)答題粘封工藝中，常用的材料有哪幾類？
參考答案：
常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型膠粘劑3大類。
參考答案：真實(shí)；完整；數(shù)據(jù)準(zhǔn)確
5.問(wèn)答題以P2O5為例，多晶硅中雜質(zhì)擴(kuò)散的方式及分布情況。
參考答案：在多晶硅薄膜中進(jìn)行雜質(zhì)擴(kuò)散的擴(kuò)散方式與單晶硅中的方式是不同的，因?yàn)槎嗑Ч柚杏芯Яｉg界存在，所以雜質(zhì)原子主要沿著晶粒間界進(jìn)...
8.問(wèn)答題離子在靶內(nèi)運(yùn)動(dòng)時(shí)，損失能量可分核阻滯和電子阻滯，解釋什么是核阻滯、電子阻滯？?jī)煞N阻滯本領(lǐng)與注入離子能量具有何關(guān)系？
參考答案：①碰撞注入離子與靶內(nèi)原子核之間的相互碰撞。因注入離子與靶原子的質(zhì)量一般為同一數(shù)量級(jí)，每次碰撞之后，注入離子都可能發(fā)生大角...
