集成電路工藝原理章節(jié)練習(2019.11.24)

來源：考試資料網(wǎng)

1.名詞解釋外延

在單晶襯底上按襯底晶向生長一層新的單晶薄膜的工藝技術。

2.填空題CZ直拉法的目的是（）。

參考答案：實現(xiàn)均勻摻雜的同時并且復制仔晶的結構，得到合適的硅錠直徑并且限制雜質引入到硅中

3.填空題離子注入在襯底中產(chǎn)生的損傷主要有（）等三種。

參考答案：點缺陷、非晶區(qū)、非晶層

4.名詞解釋通孔

是指穿過各種介質從某一金屬到毗鄰的另一金屬層形成電通路的開口。

5.判斷題蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中，對坩堝進行間接加熱。

6.判斷題在半導體產(chǎn)業(yè)界第一種類型的CVD是APCVD。

7.填空題集成電路制作工藝大體上可以分成三類，包括（）、（）、（）。

參考答案：圖形轉化技術；薄膜制備技術；摻雜技術

8.判斷題多晶硅柵的寬度通常是整個硅片上最關鍵的CD線寬。

9.填空題提拉出合格的單晶硅棒后，還要經(jīng)過（）、（）、（）等工序過程方可制備出符合集成電路制造要求的硅襯底片。

參考答案：切片；研磨；拋光

10.問答題載帶自動焊的分類及結構特點？

參考答案：TAB按其結構和形狀可分為
Cu箔單層帶：
Cu的厚度為35-70um，
Cu-PI雙層帶...