半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2020.02.02)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)1.問(wèn)答題單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？
參考答案：
晶向偏離度總厚度誤差，平衡度，翹曲度等
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述在熱氧化過(guò)程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。
參考答案：如果假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì)，則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m＜l，且在SiO
3.問(wèn)答題什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的問(wèn)題？
參考答案：固相外延是指半導(dǎo)體單晶上的非晶層在低于該材料的熔點(diǎn)或共晶點(diǎn)溫度下外延再結(jié)晶的過(guò)程。固相外延存在問(wèn)題—&mda...
參考答案：濺射產(chǎn)額：影響因素：離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結(jié)晶性只有當(dāng)入射離子的能量超過(guò)一定能量（濺射閾值）時(shí)，才能發(fā)生濺...
參考答案：（1）反應(yīng)氣體從腔體入口向晶圓片附近輸運(yùn)；
（2）這些氣體反應(yīng)生成系列次生分子；
（3）這些反應(yīng)物輸...
（2）這些氣體反應(yīng)生成系列次生分子；
（3）這些反應(yīng)物輸...
7.問(wèn)答題簡(jiǎn)述在芯片制造中對(duì)金屬電極材料有什么要求？
參考答案：1、能很好的阻擋材料擴(kuò)散；
2、高電導(dǎo)率，低歐姆接觸電阻；
3、在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著能力；...
2、高電導(dǎo)率，低歐姆接觸電阻；
3、在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著能力；...
8.問(wèn)答題什么是CMOS技術(shù)？什么是 ASIC？
參考答案：CMOS（互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)：將成對(duì)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）集成在一塊硅片上。使集成電路...
9.問(wèn)答題將圓柱形的單晶硅錠制備成硅片需要哪些工藝流程？
參考答案：整形處理，切片，磨片和倒角，刻蝕，拋光，清洗，硅片評(píng)估，包裝。
10 超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對(duì)象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接，焊接處依靠（）封接，因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實(shí)現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。
