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半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2020.02.02)
問答題
單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些?
答案:
晶向偏離度總厚度誤差,平衡度,翹曲度等
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問答題
簡述在熱氧化過程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。
答案:
如果假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的,而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì),則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m<l,且在SiO
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問答題
什么是固相外延(SPE)及固相外延中存在的問題?
答案:
固相外延是指半導(dǎo)體單晶上的非晶層在低于該材料的熔點或共晶點溫度下外延再結(jié)晶的過程。固相外延存在問題—&mda...
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單項選擇題
金屬封裝主要用于混合集成電路封裝,外殼零件一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材料常常是()。
A.合金A-42
B.4J29可伐
C.4J34可伐
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問答題
什么是濺射產(chǎn)額,其影響因素有哪些?簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。
答案:
濺射產(chǎn)額:影響因素:離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結(jié)晶性只有當(dāng)入射離子的能量超過一定能量(濺射閾值)時,才能發(fā)生濺...
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問答題
下圖是硅烷反應(yīng)淀積多晶硅的過程,寫出發(fā)生反應(yīng)的方程式,并簡述其中1~5各步的含義。
答案:
(1)反應(yīng)氣體從腔體入口向晶圓片附近輸運;
(2)這些氣體反應(yīng)生成系列次生分子;
(3)這些反應(yīng)物輸...
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問答題
簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求?
答案:
1、能很好的阻擋材料擴散;
2、高電導(dǎo)率,低歐姆接觸電阻;
3、在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著能力;...
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問答題
什么是CMOS技術(shù)?什么是 ASIC?
答案:
CMOS(互補型金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù):將成對的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)集成在一塊硅片上。使集成電路...
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問答題
將圓柱形的單晶硅錠制備成硅片需要哪些工藝流程?
答案:
整形處理,切片,磨片和倒角,刻蝕,拋光,清洗,硅片評估,包裝。
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單項選擇題
超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接,焊接處依靠()封接,因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。
A.管帽變形
B.鍍金層的變形
C.底座變形
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