集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2020.04.22)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題為什么多晶硅的干法刻蝕要采用氯基氣體而不是氟基氣體？

參考答案：不用SF₆等F基氣體是因?yàn)镃l基氣體刻蝕多晶硅對下層的柵氧化層有較高的選擇比。

2.判斷題PSG高溫回流需要的溫度要比BPSG高。

3.填空題集成電路的制造分為五個階段，分別為（）、（）、硅片測試和揀選、（）、終測。

參考答案：硅片的制備；硅片制造；裝配和封裝

4.判斷題離子注入工藝中被摻雜的材料稱為靶，靶材料可以是晶體，也可以是非晶體，非晶靶也稱為無定形靶。

5.名詞解釋填充薄膜

是指用金屬薄膜填充通孔，以便在兩金屬層之間形成電連接。

6.判斷題高密度等離子體刻蝕機(jī)是為亞0.25微米圖形尺寸而開發(fā)的最重要的干法刻蝕系統(tǒng)。

7.判斷題雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種：間隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散。其中間隙式擴(kuò)散比替位式擴(kuò)散困難。

8.問答題簡述法刻蝕的優(yōu)缺點(diǎn)（與濕法刻蝕比）。

參考答案：優(yōu)點(diǎn)：①刻蝕剖面各向異性，非常好的側(cè)壁剖面控制；
②好的CD控制；
③最小的光刻膠脫落或粘附問題；<...

9.問答題簡述摻氯氧化工藝。

參考答案：在氧化工藝中，通常在氧化系統(tǒng)中通入少量的HCl氣體（濃度在3%以下）以改善SiO₂–S...

10.判斷題離子注入的缺點(diǎn)之一是注入設(shè)備的復(fù)雜性。