半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.18)

問(wèn)答題
施主濃度為1013cm3的n型硅，計(jì)算400K時(shí)本征載流子濃度、多子濃度、少子濃度和費(fèi)米能級(jí)的位置。
答案：
問(wèn)答題
一塊電阻率為3Ω∙cm的n型硅樣品，空穴壽命τp=5us，在其平面形的表面處有穩(wěn)定的空穴注入，過(guò)剩濃度（∆p）=1013cm-3。計(jì)算從這個(gè)表面擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體內(nèi)部的空穴電流密度，以及在離表面多遠(yuǎn)處過(guò)剩空穴濃度等于1012cm-3？
答案：
問(wèn)答題
當(dāng)E-EF為1.5k0T，4k0T，10k0T時(shí)，分別用費(fèi)米分布函數(shù)和玻耳茲曼分布函數(shù)計(jì)算電子占據(jù)各該能級(jí)的概率。
答案：
問(wèn)答題
簡(jiǎn)述低頻共基極電流增益的公式總結(jié)。
答案：
問(wèn)答題
對(duì)于晶格常數(shù)為2.5×10-20m 的一維晶體，當(dāng)外加102/Vm和107/Vm電場(chǎng)時(shí)，分別計(jì)算電子自能帶底運(yùn)動(dòng)到能帶頂所需的時(shí)間。
答案：
問(wèn)答題
0.12kg的Si單晶摻有3.0×10-9kg的Sb，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求出此材料的電導(dǎo)率。（Si單晶的密度為2.33g/cm3，Sb的原子量為121.8）
答案：
名詞解釋
過(guò)剩載流子
答案：在光注入、電注入、高能輻射注入等條件下，半導(dǎo)體材料中會(huì)產(chǎn)生高于熱平衡時(shí)濃度的電子和空穴，超過(guò)熱平衡濃度的電子△n=n-n...
問(wèn)答題
現(xiàn)有三個(gè)半導(dǎo)體硅樣品，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3（1）分別計(jì)算這三個(gè)樣品的電子濃度（2）判別這三個(gè)樣品的導(dǎo)電類型（3）計(jì)算這三個(gè)樣品的費(fèi)米能級(jí)的位置
答案：
對(duì)這三塊材料分別計(jì)算如下：

即P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在禁帶中線下0.37eV處
填空題
半導(dǎo)體載流子在輸運(yùn)過(guò)程中，會(huì)受到各種散射機(jī)構(gòu)的散射，主要散射機(jī)構(gòu)有（）、（）、中性雜質(zhì)散射、位錯(cuò)散射、載流子間的散射和等價(jià)能谷間散射。
答案：電離雜質(zhì)的散射；晶格振動(dòng)的散射
單項(xiàng)選擇題
當(dāng)施主能級(jí)ED與費(fèi)米能級(jí)EF相等時(shí)，電離施主的濃度為施主濃度的（）倍。
A.1
B.1/2
C.1/3
D.2/3

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半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.18)

施主濃度為1013cm3的n型硅，計(jì)算400K時(shí)本征載流子濃度、多子濃度、少子濃度和費(fèi)米能級(jí)的位置。

當(dāng)E-EF為1.5k0T，4k0T，10k0T時(shí)，分別用費(fèi)米分布函數(shù)和玻耳茲曼分布函數(shù)計(jì)算電子占據(jù)各該能級(jí)的概率。

簡(jiǎn)述低頻共基極電流增益的公式總結(jié)。

對(duì)于晶格常數(shù)為2.5×10-20m 的一維晶體，當(dāng)外加102/Vm和107/Vm電場(chǎng)時(shí)，分別計(jì)算電子自能帶底運(yùn)動(dòng)到能帶頂所需的時(shí)間。

0.12kg的Si單晶摻有3.0×10-9kg的Sb，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求出此材料的電導(dǎo)率。（Si單晶的密度為2.33g/cm3，Sb的原子量為121.8）

過(guò)剩載流子

半導(dǎo)體載流子在輸運(yùn)過(guò)程中，會(huì)受到各種散射機(jī)構(gòu)的散射，主要散射機(jī)構(gòu)有（）、（）、中性雜質(zhì)散射、位錯(cuò)散射、載流子間的散射和等價(jià)能谷間散射。

當(dāng)施主能級(jí)ED與費(fèi)米能級(jí)EF相等時(shí)，電離施主的濃度為施主濃度的（）倍。

半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.18)

施主濃度為1013cm3的n型硅，計(jì)算400K時(shí)本征載流子濃度、多子濃度、少子濃度和費(fèi)米能級(jí)的位置。

當(dāng)E-EF為1.5k0T，4k0T，10k0T時(shí)，分別用費(fèi)米分布函數(shù)和玻耳茲曼分布函數(shù)計(jì)算電子占據(jù)各該能級(jí)的概率。

簡(jiǎn)述低頻共基極電流增益的公式總結(jié)。

對(duì)于晶格常數(shù)為2.5×10-20m 的一維晶體，當(dāng)外加102/Vm和107/Vm電場(chǎng)時(shí)，分別計(jì)算電子自能帶底運(yùn)動(dòng)到能帶頂所需的時(shí)間。

0.12kg的Si單晶摻有3.0×10-9kg的Sb，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求出此材料的電導(dǎo)率。（Si單晶的密度為2.33g/cm3，Sb的原子量為121.8）

過(guò)剩載流子

半導(dǎo)體載流子在輸運(yùn)過(guò)程中，會(huì)受到各種散射機(jī)構(gòu)的散射，主要散射機(jī)構(gòu)有（）、（）、中性雜質(zhì)散射、位錯(cuò)散射、載流子間的散射和等價(jià)能谷間散射。

當(dāng)施主能級(jí)ED與費(fèi)米能級(jí)EF相等時(shí)，電離施主的濃度為施主濃度的（）倍。

施主濃度為1013cm3的n型硅，計(jì)算400K時(shí)本征載流子濃度、多子濃度、少子濃度和費(fèi)米能級(jí)的位置。

當(dāng)E-EF為1.5k0T，4k0T，10k0T時(shí)，分別用費(fèi)米分布函數(shù)和玻耳茲曼分布函數(shù)計(jì)算電子占據(jù)各該能級(jí)的概率。

對(duì)于晶格常數(shù)為2.5×10-20m 的一維晶體，當(dāng)外加102/Vm和107/Vm電場(chǎng)時(shí)，分別計(jì)算電子自能帶底運(yùn)動(dòng)到能帶頂所需的時(shí)間。

0.12kg的Si單晶摻有3.0×10-9kg的Sb，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求出此材料的電導(dǎo)率。（Si單晶的密度為2.33g/cm3，Sb的原子量為121.8）

半導(dǎo)體載流子在輸運(yùn)過(guò)程中，會(huì)受到各種散射機(jī)構(gòu)的散射，主要散射機(jī)構(gòu)有（）、（）、中性雜質(zhì)散射、位錯(cuò)散射、載流子間的散射和等價(jià)能谷間散射。

當(dāng)施主能級(jí)ED與費(fèi)米能級(jí)EF相等時(shí)，電離施主的濃度為施主濃度的（）倍。