材料科學(xué)基礎(chǔ)單項(xiàng)選擇題每日一練(2020.06.09)

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1 位錯(cuò)塞積的一個(gè)重要效應(yīng)是在它的前端引起（）

2 位錯(cuò)的（）是指在熱缺陷的作用下，位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。

3 下列關(guān)于晶界的說(shuō)法哪種是錯(cuò)誤的（）。

4 一般實(shí)際金屬結(jié)晶過(guò)程是（）

5 對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（）。