單項選擇題可擦除式可編程只讀存儲器的英文縮寫是()。
A.EEPROM
B.PROM
C.ROM
D.EPROM
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1.單項選擇題在只讀存儲器的各種類型中,可通過加電擦除其內(nèi)容,也可多次改寫的只讀存儲器是()。
A.ROM
B.PROM
C.EPROM
D.EEPROM
2.單項選擇題下列有關(guān)閃速存儲器Flash Memory的特點說法錯誤的是()。
A.改寫電壓低
B.使用安全可靠
C.速度快
D.功耗低
3.單項選擇題關(guān)于Cache,下列說法中錯誤的是()。
A.其內(nèi)容是RAM中部分存儲單元內(nèi)容的副本
B.一般采用動態(tài)隨機讀寫半導(dǎo)體存儲器件(DRAM)
C.不能增加主存容量
D.有一級Cache、二級Cache、三級Cache之分
4.單項選擇題以下關(guān)于Cache的說法正確的是()。
A.Cache的內(nèi)容是硬盤中部分存儲單元內(nèi)容的副本
B.一般采用DRAM
C.目的是提高內(nèi)存讀寫程序和數(shù)據(jù)的速度
D.為了解決CPU與主存之間速度不匹配而增加的高速緩存部件
5.單項選擇題為硬盤加上Cache的目的是()。
A.增加硬盤容量
B.提高硬盤讀寫信息的速度
C.實現(xiàn)動態(tài)信息存儲
D.實現(xiàn)靜態(tài)信息存儲
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